| 主权项 |
1.一种发光型显示装置,其特征在于具有用以构成 复数个配置成矩阵之像素的发光元件,在视角0度 时对于由构成该发光元件之发光层所放射出来之 光的干涉强度会是极大値的波长,系短于由该发光 层所放射出来之光强度为最大时之波长。 2.一种发光型显示装置,其特征在于具有用以构成 复数个配置成矩阵状像素之发光元件,在视角0度 时对于由构成该发光元件之发光层所放射出来之 光的干涉强度会是极小値的波长,系长于由该发光 层所放射出来之光强度为最大时之波长,且不存在 于可见波长领域。 3.一种发光型显示装置,其特征在于具有用以构成 复数个配置成矩阵状像素之发光元件,当将对于一 由构成该发光元件之发光层所放射出来之光的干 涉强度在视角0度时会是极大値的波长设定为 imax,且将该发光层所放射出之光强度会是最大时 之波长设定为emax时,系满足emax-50nm≦imax< emax之关系。 4.一种发光型显示装置,其特征在于具有用以构成 复数个配置成矩阵状像素之发光元件,当将对于一 由构成该发光元件之发光层所放射出来之光的干 涉强度在视角0度时会是极小値的波长设定为 imin,且将由该发光层所放射之光强度为最大时之 波长设定为emax时,系满足emax+70nm≦imin之关 系。 5.一种发光型显示装置,其特征在于具有用以构成 复数个配置成矩阵状像素之发光元件,由该构成发 光元件之发光层所放射出来之光系白色光,或者有 复数个发光强度极大値存在,且在视角0度时对于 一由该发光层所放射出来之光的干涉强度会是极 大値的波长,在可见波长领域,系短于由该发光层 所放射出来之光强度为最大时之波长,且该干涉强 度为极小値之波长,系长于由该发光层所放射出来 之光强度为极大値之波长,且不存在于可见波长领 域。 6.一种彩色发光型显示装置,具有用以构成复数个 配置成矩阵状像素之发光元件,当将对于一由构成 该发光元件之发光层所放射出来之光的干涉强度 在视角0度时为极大値的波长设定为imax,并将具 有极小値之波长设定为imin,且将该发光层所放 射之光强度为最大时之波长设定为emax时,系满 足emax-50nm≦imax<emax,或是emax+70nm≦imin 之关系。 7.如请求项6所述之彩色发光型显示装置,其中该发 光元件系一有机发光二极体元件,且当构成该有机 发光二极体元件之有机膜的膜厚在红色像素为RT, 在绿色像素为GT,在蓝色像素为BT时,关系为RT≧GT≧ BT。 8.一种发光型显示装置,其特征在于具有用以构成 复数个配置成矩阵状像素之发光元件,该显示装置 系一种由透明基板侧取出光且在该透明基板上形 成有一用以控制发光元件之亮灭之切换元件的主 动矩阵驱动型显示装置,至少在该像素发光区域中 ,构成该等切换元件之数层绝缘膜当中,至少有一 层被选择性除去;进一步,当将对于一由构成该发 光元件之发光层所放射出来之光的干涉强度在视 角0度时为极大値的波长设定为imax,并将具有极 小値之波长设定为imin,且将该发光层所放射之 光强度为最大时之波长设定为emax时,将满足 emax-50nm≦imax<emax,或是emax+70nm≦imin之关 系。 9.如请求项8所述之发光型显示装置,其中该被选择 性除去之膜,其与该透明基板或构成该发光元件之 透明电极间之折射率差在0.4以上者。 10.如请求项8所述之发光型显示装置,其中该切换 元件系由低温多晶矽TFT所构成,且在该像素之发光 区域中,形成于该切换元件与该透明基板间之底层 膜、以及构成该切换元件之复数层绝缘层都被除 去。 11.如请求项10所述之发光型显示装置,其中该切换 元件之全方位均被一离子阻挡性膜所围起来。 12.一种发光型显示装置,其特征在于具有用以构成 复数个配置成矩阵状像素之发光元件,且由该发光 型显示装置向观看者侧取出之光强度,在视角为0 度时为最大。 13.如请求项12所述之发光型显示装置,其中由该发 光型显示装置向观看者侧取出之光强度系最大之 波长的变化量,在视角由0度变化至60度时,系在10nm 以下。 14.一种发光型显示装置,其特征在于具有用以构成 复数个配置成矩阵状像素之发光元件,且该发光型 显示装置系一由形成有该发光元件之基板之相反 侧取出光的发光型显示装置,当将对于一由构成该 发光元件之发光层所放射出来之光的干涉强度在 视角0度时为极大値的波长设定为imax,而为极小 値之波长则设定为imin,并将一由该发光层所放 射之光强度为最大时之波长设定为emax时,系满 足imax<emax,以及imin≧emax+70nm之关系。 15.如请求项14所述之发光型显示装置,其中该发光 元件在光取出侧具有一光穿透性电极,且在该电极 之光取出侧之面上,具有一折射率为1.4~2.0之透明 体。 图式简单说明: 图1为一显示本发明所揭显示装置之一实施例构成 的一像素附近图解截面图。 图2为一显示本发明所揭显示装置之像素部构造之 一实施例的部分平面图。 图3A、3B为一图解地显示本发明所揭显示装置之整 体布局的方块图。 图4为一构成本发明所揭显示装置之显示部的主动 矩阵等效电路图。 图5A~5C为一依制程顺序说明本发明所揭显示装置 之一制程例在一像素附近之截面的图解图。 图6A~6C为一依制程顺序说明本发明所揭显示装置 之一制程例在一像素附近之截面的图解图。 图7A~7C为一依制程顺序说明本发明所揭显示装置 之一制程例在一像素附近之截面的图解图。 图8为一显示出本发明所揭显示装置之一实施例在 视角0度时之干涉强度的波长相关性,以及其与发 光强度呈最大値之波长间之关系的图示。 图9为一显示出本发明所揭显示装置之发光光谱之 视角相关性之一例的图示。 图10为一显示出本发明所揭显示装置之一实施例 的色度与视角相关性的图示。 图11为一显示出本发明所揭显示装置之一实施例 在视角0度时位于红色发光像素之发光区域中之干 涉强度的波长相关性,以及其与发光强度呈最大値 之波长间之关系的图示。 图12为一显示本发明所揭显示装置之一实施例之 构造在一像素附近之图解截面图。 图13为一显示本发明所揭显示装置之一实施例之 构造在一像素附近之图解截面图。 图14为一显示本发明所揭显示装置之一实施例之 构造在一像素附近之图解截面图。 图15为一显示出本发明所揭显示装置之一实施例 在视角0度时之干涉强度的波长相关性,以及其与 发光强度呈最大値之最短波长间之关系的图示。 图16为一显示习知有机发光二极体元件之一例之 局部概略截面图。 图17为一习知显示装置在一像素附近之图解截面 图。 图18为一显示习知显示装置之发光光谱之视角相 关性之一例的图示。 图19为一显示习知显示装置之色度与视角相关性 之一例的图示。 图20为一显示出试算习知显示装置之干涉强度的 视角相关性后所得结果之一例的图示。 |
