矽化金属闸极之制造方法

摘要

本发明提供一种用于积体电路之矽化金属闸极的制造方法，先形成覆盖于基材之多晶矽线路，其中多晶矽线路与基材之间设有介电层。接着形成覆盖于基材及多晶矽线路侧壁之第一绝缘层，其中第一绝缘层介于每一多晶矽线路之间，但并不覆盖在多晶矽线路的上表面。然后蚀刻一部分的多晶矽线路，使得多晶矽线路的上表面低于第一绝缘层的上表面。之后沉积覆盖于多晶矽线路上之金属层。接着进行热回火制程，以将多晶矽线路转化成矽化金属层。最后移除未反应的金属层，以形成积体电路。