用于有机硅酸盐玻璃低K介质腐蚀应用的用于O<SUB>2</SUB>和NH<SUB>3</SUB>的蚀刻后光刻胶剥除

摘要

提供一种用于从形成有至少一层的OSG电介质的半导体晶片上剥除光刻胶的工艺。与其它集成电路制造工艺相应地原位或在外部构成剥除工艺。该工艺包括一种本质上为氧化反应或还原反应的反应。氧化反应利用氧等离子体。还原反应利用氨等离子体。本发明的工艺与以前公知的剥除方法相比产生更快的灰化速率且几乎对OSG电介质没有损伤。

主权项

1.一种用于从包含至少一层有机硅酸盐玻璃电介质的晶片上剥除光刻胶的方法，该方法包括：将该晶片放入一反应室；将剥除气体的气流引入该反应室，该剥除气体包含一种活性剥除剂，其中该活性剥除剂选自由氧气和氨气组成的组；以及使用该剥除气体，在该反应室中形成等离子体，由此从晶片上剥除该光刻胶。