发明名称 原版、曝光方法和原版的制造方法
摘要 提供在半导体器件制造工序中可以大幅度地缩短光学系统的修正所需要的时间的原版。该原版具备:掩模基板1,配置在掩模基板1上的遮光膜17,设置在遮光膜17上的检查图形用开口56a、56b、56c和器件图形用开口57,具备在检查图形用开口56a、56b、56c中露出来的掩模基板1上分别设置的非对称衍射光栅222a、222b、222c中的每一者的检查图形20a、20b、20c,在检查图形用开口56a、56b、56c中露出来的掩模基板1上分别与检查图形20a、20b、20c相邻地设置的对准标记26a、26b、26c,在器件图形用开口57中露出来的掩模基板1上设置的器件图形15a、15b、15c。
申请公布号 CN1590957A 申请公布日期 2005.03.09
申请号 CN200410057380.9 申请日期 2004.08.26
申请人 株式会社东芝 发明人 佐藤隆;坂元隆
分类号 G01B11/00;G01B11/25;G01M11/02;G03F1/08;G03F7/207 主分类号 G01B11/00
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;段承恩
主权项 1.一种原版,其在掩模基板上设置有产生衍射效率不同的正一次衍射光和负一次衍射光的非对称衍射光栅,其特征在于:上述非对称衍射光栅具备:选择性地且周期性地配置在上述掩模基板上,分别具有与上述掩模基板接连的入射面、与该入射面相向的第1面、与上述入射面相向与上述第1面相邻的第2面的、半透射性的多个检查用移相膜,分别配置在上述第2面上的多个遮光带。
地址 日本东京都