| 发明名称 | 布线结构 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是在低介电常数膜内形成孤立通路时抑制抗蚀剂中毒的发生。在形成于衬底1上的p－SiOC膜12内形成第1布线15和第1虚设布线15a。接着，形成p－SiOC膜22，在p－SiOC膜22上形成覆盖膜23。在覆盖膜23和p－SiOC膜22内形成由与第1布线15连接的通路28和第2布线29构成的双镶嵌布线，同时在孤立的通路28的周边形成虚设通路28a。 | ||
| 申请公布号 | CN1581475A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN200410048579.5 | 申请日期 | 2004.06.14 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技;松下电器产业株式会社 | 发明人 | 富田和朗;桥本圭司;西冈康隆;松本晋;关口满;岩崎晃久 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/00 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种布线结构，其特征在于：具备：在衬底上形成的第1布线；在上述第1布线上形成的、具有3以下的介电常数的低介电常数膜；在上述低介电常数膜内形成的、与上述第1布线连接的通路；在上述通路上形成的、与该通路连接的第2布线；以及在孤立的上述通路的周边形成的虚设通路。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||