发明名称 | 同基合金表面离子沉积方法 | ||
摘要 | 同基合金表面沉积方法属于材料加工工程领域,材料表面沉积技术范畴。具体来讲是作为沉积离子源的合金靶材的基本组成元素与基材相同。其突出优点是沉积层的晶体结构及物理性质与基材差异很小甚至完全相同,因而沉积层与基材结合强度高,工作温度变化时不会产生较大的内应力,沉积层厚度不受限制;由于沉积加热温度较低,工件不会产生明显畸变,可用于高精度工件的表面改性和已磨损精密工件的修复。 | ||
申请公布号 | CN1173070C | 申请公布日期 | 2004.10.27 |
申请号 | CN02110303.8 | 申请日期 | 2002.04.18 |
申请人 | 太原理工大学 | 发明人 | 侯文义;赵兴国;石巨岩;梁伟 |
分类号 | C23C14/34;C23C14/38 | 主分类号 | C23C14/34 |
代理机构 | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人 | 庞建英 |
主权项 | 1.同基合金表面离子沉积方法,其特征在于是沉积离子源的合金靶材的基本组成元素与基材相同,沉积层晶体结构、密度、线膨胀系数与基材相同,其具体沉积步骤为:首先将靶装入连接40-70V负偏压的壳体中用作电弧溅射源或将棒状、板状、网状靶连接600-800V负偏压用作阴极溅射源,工件置于连接700-900V负偏压的工作台上,密闭工作室后抽真空至1-1×10-3Pa,然后充入氩气至10-40Pa,先启动700-900V的直流电源使工件表面在辉光作用下加热至500-700℃,随即启动与靶连接的直流电源发射靶中的各种元素,并在电场作用下沉积于工件表面。 | ||
地址 | 030003山西省太原市迎泽西大街79号 |