| 主权项 |
1.一种用以测试半导体雷射模组之装置,该半导体 雷射模组包括有一半导体雷射,一用以探测来自该 半导体雷射的光输出的波长的波长监视器,和一用 以控制该半导体雷射的温度的温度控制装置,该半 导体雷射模组测试装置包含: 一波长回授电路,将该半导体雷射模组的该波长监 视器所探测到的波长与一目标波长做比较,并输出 对应于比较结果的比较信号; 一处理器,输出对应于该比较信号的控制信号,该 比较信号系由该波长回授电路所供应; 一温度控制电源,根据来自该处理器的该控制信号 ,控制将被供应到该温度控制装置的电源。 2.如申请专利范围第1项之用以测试半导体雷射模 组之装置,其中当控制将被供应到该温度控制装置 的该温度控制电源的电力,改变该半导体雷射的温 度时,根据温度改变量,以及根据被该波长监视器 探测到的波长的改变量,该处理器得到该半导体电 射的温度和光输出的波长之间的关系。 3.如申请专利范围第2项之用以测试半导体雷射模 组之装置,其中该处理器控制将被供应到该温度控 制装置的温度控制电源的电力,因而根据得自波长 回授电路的比较信号,以及半导体雷射的温度和从 该半导体电射得到的光输出的波长之间的关系,使 得该半导体雷射输出的光输出的波长与目标波长 重合。 4.一种用以测试半导体雷射模组之装置,该半导体 雷射模组包括有一半导体雷射,一用以探测来自该 半导体雷射的光输出的波长的波长监视器,一用以 控制该半导体雷射的温度的温度控制装置,及一用 以探测该半导体雷射的温度的温度监视器,该半导 体雷射模组测试装置包含: 一波长回授电路,将该半导体雷射模组的该波长监 视器所探测到的波长与一目标波长做比较,并输出 对应于比较结果的比较信号; 一温度回授电路,将该温度监视器探测到的温度与 一设定温度相比较,并输出对应于该比较结果的一 比较信号; 一处理器,输出对应于该比较信号的控制信号,该 比较信号系由该波长回授电路或该温度回授电路 所供应;及 一温度控制电源,根据来自该处理器的该控制信号 ,控制将被供应到该温度控制装置的电源。 5.如申请专利范围第4项之用以测试半导体雷射模 组之装置,其中当控制将被供应到该温度控制装置 的该温度控制电源的电力,改变该半导体雷射的温 度时,根据温度改变量,以及根据被该波长监视器 探测到的波长的改变量,该处理器得到该半导体电 射的温度和光输出的波长之间的关系。 6.如申请专利范围第5项之用以测试半导体雷射模 组之装置,其中该处理器控制将被供应到该温度控 制装置的温度控制电源的电力,因而根据得自波长 回授电路的比较信号,以及半导体雷射的温度和从 该半导体电射得到的光输出的波长之间的关系,使 得该半导体雷射输出的光输出的波长与目标波长 重合。 7.如申请专利范围第4项之用以测试半导体雷射模 组之装置,其中该处理器控制将被供应到该温度控 制装置的温度控制电源的电力,因而根据得自该温 度回授电路的比较信号,使得该半导体雷射的温度 与一设定温度相同。 8.一种用以测试半导体雷射模组之方法,该半导体 雷射模组包括有一半导体雷射,一用以探测来自该 半导体雷射的光输出的波长的波长监视器,及一用 以控制该半导体雷射的温度的温度控制装置,该用 以测试半导体雷射模组之方法包含: 得到该半导体雷射的温度和得自该半导体雷射的 光输出的波长之间的相互关系的步骤,当控制将被 供应到该温度控制装置的该温度控制电源的电力, 改变该半导体雷射的温度时,根据温度改变量,以 及根据被该波长监视器探测到的波长的改变量,可 得到该相互关系; 执行该测试,而同时藉由控制将供应到该温度控制 装置的电力而同时将波长监视器探测到的波长回 授的步骤,因而根据该半导体雷射的温度和由该半 导体雷射输出的光波长之间的相互关系,该半导体 雷射的光输出的波长,与一目标波长相同。 9.一种用以测试半导体雷射模组之方法,该半导体 雷射模组包括有一半导体雷射,一用以探测来自该 半导体雷射的光输出的波长的波长监视器,一用以 控制该半导体雷射的温度的温度控制装置,及一用 以探测该半导体雷射的温度的温度监视器,用以测 试该半导体雷射模组之方法包含: 得到该半导体雷射的温度和得自该半导体雷射的 光输出的波长之间的相互关系的步骤,当控制将被 供应到该温度控制装置的该温度控制电源的电力, 改变该半导体雷射的温度时,根据温度改变量,以 及根据被该波长监视器探测到的波长的改变量,可 得到该相互关系; 执行该测试,而同时藉由控制将供应到该温度控制 装置的电力而同时将波长监视器探测到的波长回 授的步骤,因而根据该半导体雷射的温度和由该半 导体雷射输出的光波长之间的相互关系,该半导体 雷射的光输出的波长,与一目标波长相同。 10.如申请专利范围第9项之方法,包含: 执行一测试而同时保持该半导体雷射的温度在一 设定温度的步骤,其系藉由控制将被供应到该温度 控制装置的电力,而同时回授被该温度监视器探测 到的温度而达成,因而该半导体雷射的温度与该设 定温度相同。 图式简单说明: 第1图系显示传统半导体雷射模组测试装置之构造 的方块图, 第2图系本发明之半导体雷射模组测试装置之构造 的方块图, 第3图系显示用于本发明半导体雷射模组测试装置 之可监视波长的温度控制器的一主要部份的结构 的方块图, 第4图系显示使用本发明之半导体雷射模组测试装 置之波长锁定侧试的处理程序的流程图。 |
