低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法

摘要

一种低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法，是先于一面板上形成一非晶硅层，面板包括一显示区与一周边电路区。然后，于周边电路区的部分非晶硅层上形成一金属层，再进行一结晶工艺，以使周边电路区的非晶硅层成为一多晶硅层。随后，进行一准分子激光退火工艺，以使周边电路区的多晶硅层的晶粒变大，且使显示区的非晶硅层成为多晶硅层。由于在周边电路区的多晶硅层的晶粒较其它部位的大，所以可符合高电子迁移率的需求。而显示区则为晶粒较小的多晶硅，可符合低漏电流的需求。

主权项

1.一种多晶硅层的制造方法，其特征是，该方法包括：于一面板上形成一非晶硅层，其中该面板包括一显示区与一周边电路区；于该周边电路区的部分该非晶硅层上形成一金属层；进行一结晶工艺，以使该周边电路区的该非晶硅层成为一第一多晶硅层；以及进行一准分子激光退火工艺，以使该周边电路区的该第一多晶硅层成为一第二多晶硅层以及使该显示区的该非晶硅层成为一第三多晶硅层，其中该第二多晶硅层的晶粒大于该第二多晶硅层以及该第三多晶硅层的晶粒。