| 摘要 |
藉由将溢流阻障层设置在基板的深部的构造，以防止邻接画素间的串音。在垂直传送暂存器124以及沟道截断区域126的下层区域的特定位置形成部份P型区域150，藉由此P型区域150，以调整垂直传送暂存器124以及沟道截断区域126之下层区域的电位能，由垂直传送暂存器124的最小电位能位置至溢流阻障层128之间，形成为比光感测器122的下层区域的电位能低。因此，在感测器区域被光电转换之电荷，由于两侧的垂直传送暂存器124以及沟道截断区域126之下层区域的电位能低之故，被此电位能阻障层所遮断，变成无法容易扩散之状态，可以防止邻接画素之串音。 |
