| 主权项 |
1.一种具有电容器之半导体装置,含有包夹电介质体层之互相面对之下部电极和上部电极,其特征是:上述之下部电极和上部电极之至少任何一方,具有包含p型杂质之SiGe之混晶层。2.如申请专利范围第1项之具有电容器之半导体装置,其中上述之下部电极和上部电极之双方,由含有p型杂质之SiGe之混晶层形成。3.如申请专利范围第1项之具有电容器之半导体装置,其中上述之下部电极由含有n型杂质之SiGe之混晶层形成,和上述之上部电极由含有p型杂质之SiGe之混晶层形成。4.如申请专利范围第1项之具有电容器之半导体装置,其中上述之下部电极由含有p型杂质之SiGe之混晶层形成,和上述之上部电极由含有n型杂质之SiGe之混晶层形成。5.如申请专利范围第3项之具有电容器之半导体装置,其中构件成为在上述之上部电极具有比上述之下部电极所具有之电位高之电位。6.如申请专利范围第4项之具有电容器之半导体装置,其中构建成为在上述之下部电极具有比上述之上部电极所具有之电位高之电位。7.如申请专利范围第1项之具有电容器之半导体装置,其中上述之SiGe之混晶层包含有扣除3成以下之任意之混晶比之Ge。8.如申请专利范围第1项之具有电容器之半导体装置,其中上述之电介质体层由含有Ta2O5之材质构成。图式简单说明:图1是剖面图,用来概略的表示本发明之实施形态1之具有电容器之半导体装置之构造。图2是剖面图,用来概略的表示本发明之实施形态3之具有电容器之半导体装置之构造。图3是概略剖面图,用来表示使用有本发明之各个实施形态之电容器之DRAM之记忆单元之构造。图4是概略剖面图,用来表示使用有本发明之各个实施形态之电容器之DRAM之记忆单元之另一构造。图5是剖面图,用来概略的表示习知之具有电容器之半导体装置之构造。 |
