| 主权项 |
1.一种使用一负载室之方法,该方法至少包含下列步骤:经由该负载室中之一开口,传送一未处理基材至该负载室中之一上支撑结构;关闭该开口并将该负载室抽真空;将该未处理基材传送至该负载室外之一室;将来自该负载室外之该室的一已处理基材传送至该负载室中之一下支撑结构,以使该已处理基材定位于一冷却板与一板之间,其中该冷却板系位于该已处理基材下方,而该板系位于该已处理基材上及该上支撑结构下方;将来自该下支撑结构之该已处理基材传送至该负载室中之该冷却板;及冷却该已处理基材,其中适量之热系由该已处理基材传至该冷却板及位于该已处理基材上及该上支撑结构下之该板。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该冷却步骤包含将一气体引入该负载室并于该气体进入该负载室时过滤该气体。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该冷却步骤包含将一含氦之气体引入该负载室中。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该冷却步骤包含将一含氦气及氮气之气体引入该负载室中。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该气体包含之该氮气的分压约为754至约759托耳及该氦气的分压约1至约6托耳。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该气体主要由757托耳的氮气及3托耳的氦气所组成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含在将该未处理基材传送至该负载室外之一室之前,先加热该负载室中之该未处理基材。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该冷却该已处理基材之步骤包含提供一冷却流体至该冷却板,以将该热传送离开该冷却板。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该传送该已处理基材至该冷却板之步骤包含降低该下支撑结构之至少一部分经过该冷却板,以使得该已处理基材之一下表面系放置于该冷却板之一上表面。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该降低该下支撑结构之至少一部分经过该冷却板之步骤包含降低该下支撑结构之一顶面至一低于该冷却板之该上表面的位置。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该上支撑结构系耦接至位于该已处理基材上及该上支撑结构下之该板。12.如申请专利范围第11项所述之方法,更包含供应一冷却流体,以冷却该冷却板及位于该已处理基材上及该上支撑结构上之该板。13.一种处理基材之方法,该方法至少包含下列步骤:经由该负载室中之一第一开口,传送一未处理基材至该负载室中之一上支撑结构;关闭该第一开口及将该负载室抽真空;经由该负载室中之一第二开口,传送该未处理基材至该负载室外之一室;经由该负载室中之该第二开口,传送来自该负载室外之该室的一已处理基材至该下支撑结构;及传送该已处理基材至该负载室中之一冷却板上表面,其系将该下支撑结构之至少一部份经由该冷却板上表面之该些孔径来降低。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该下支撑结构包括复数个支撑件,其中每一销系与该些孔径之一对准,且其中将该下支撑结构之至少一部份经由该冷却板上表面之该些孔径来降低之步骤至少包含:将该些支撑件之一上部经由该冷却板上表面至少部分之该些孔径来降低。15.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含下列步骤:冷却该冷却板上之该已处理基材;将该下支撑结构相对于该冷却板升高,以从该冷却板移开该已处理基材;及经由该第一开口从该负载室移除该已处理基材。16.如申请专利范围第15项所述之方法,更包含在将该下支撑结构升高以从该冷却板移开该已处理基材之前,先将该负载室排气。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该排气步骤包含传送一冷却气体至该负载室。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该冷却气体包含氦。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该冷却该冷却板上之该基材,将该负载室排气,从该冷却板移开该已处理基材及从该负载室移开该已处理基材经过该第一开口之步骤所执行的时间不超过60秒。20.如申请专利范围第16项所述之方法,更包含在将该负载室排气之前,先加热该负载室内之该已处理基材。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该时间系不超过30秒。22.如申请专利范围第13项所述之方法,其中在将该未处理基材传送至该负载室外之一室之前,该未处理基材系在该负载室中被预热,而且该预热所执行的时间不超过60秒。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该预热所执行的时间不超过30秒。24.如申请专利范围第15项所述之方法,更包含下列步骤:在从该负载室经由该第一开口移开该已处理基材之后,相对于该第一开口降低该下支撑结构;及对准该上支撑结构,以经由该第一开口接收该上支撑结构上的一未处理基材。25.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含加热该负载室中的该未处理基材之步骤。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该加热步骤所执行的时间不超过60秒。27.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该加热步骤所执行的时间不超过30秒。28.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该负载室更包括一位于该冷却板上及该上支撑结构下方之板,其中该已处理基材系位于该冷却板上之该板及该冷却板之间,其中一来自该已处理基材之适量热系被传送至位于该冷却板上之该板。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中位于该冷却板上及该上支撑结构下之该板系定位在距离该已处理基材约5公厘处。30.如申请专利范围第28项所述之方法,更包含定位至少一校准销,其系从该冷却板延伸至位于该冷却板上该板之一开口。31.如申请专利范围第13项所述之方法,其中从该负载室外之该室传送该已处理基材至该下支撑结构的步骤系执行于在将该未处理基材传送至该负载室外之该室的步骤之前。32.如申请专利范围第31项所述之方法,更包含在将该未处理基材传送至该负载室外之一室之前,先加热该负载室内之该未处理基材的步骤。33.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该传送该未处理基材之步骤系执行于传送该已处理基材的步骤之后。34.一种处理一基材之方法,该方法至少包含下列步骤:使用一第一机械手臂,将一未处理基材由一未处理基材供给,传送至一与负载室中第一板相耦接之一第一支撑结构;使用一第二机械手臂,从该负载室传送该未处理基材至一传送室;从该传送室传送该未处理基材至至少一处理室,以处理该未处理基材,以形成一已处理基材;从该至少一处理室传送该已处理基材至该传送室;使用该第二机械手臂,从该传送室传送该已处理基材至该负载室中与一第二板相耦接之一第二支撑结构;从该第二负载支撑结构传送该已处理基材至该负载室中之一冷却板;冷却该负载室中之一冷却板上之该已处理基材,该冷却板系位于该第一板及该第二板之间;及使用该第一机械手臂,从该负载室移开该已处理基材。35.如申请专利范围第34项所述之方法,更包含在从该负载室传送该未处理基材至该传送室之前,先加热该负载室中的该未处理基材之步骤。36.如申请专利范围第34项所述之方法,更包含定位一加热器于该负载室内,于该第一支撑结构上方。37.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该冷却该已处理基材之步骤包含在从该负载室移开该已处理基材之前,先将该负载室排气之步骤,该排气步骤包含将一含氦之气体引入该负载室中。38.如申请专利范围第34项所述之方法,更包含将该第一支撑结构定位于该负载室中之该第二支撑结构上方。39.一种处理基材之方法,该方法至少包含步骤:将一单一未处理基材传送至该负载室中之一上支撑结构;将该负载室抽真空;从该负载室传送该单一未处理基材至该传送室;从一传送室传送一单一已处理基材至该负载室中之一下支撑结构;从该下支撑结构传送该单一已处理基材至该负载室中之一冷却板,其中该下支撑结构包括复数个支撑件且该冷却板包括复数个延伸其间之孔径,其中该些支撑件系被降低以使该些支撑件之上表面降至该些孔径中,且该已处理基材系置于该冷却板上表面之上;将该负载室排气;传送该单一已处理基材至该负载室及该传送室外之一位置;及传送另一单一未处理基材至该负载室。40.如申请专利范围第39项所述之方法,更包含在传送该单一未处理基材至该传送室之前,先加热该负载室中之该单一未处理基材。41.如申请专利范围第39项所述之方法,其中从该下支撑结构传送该单一已处理基材至该冷却板之步骤包含降低该下支撑结构经过该冷却板,并放置该单一已处理基材之一下表面于该冷却板之一上表面上。42.一种使用一处理系统中之一负载室处理基材之方法,该方法至少包含下列步骤:传送一未处理基材至该负载室中之一第一基材支撑件及一第二基材支撑件之其中一者;加热该负载室中之该未处理基材;传送该未处理基材至该负载室外之一室;处理该未处理基材,以形成一已处理基材;传送该已处理基材至该负载室中之该第二基材支撑件;藉由移动该第二基材支撑件之至少一部份穿越该冷却板上之该些孔径,以传送该已处理基材至该负载室中之一冷却板,冷却该负载室中之该已处理基材;及从该负载室移开该已处理基材。43.如申请专利范围第42项所述之方法,其中该第一基材支撑件系适用以支撑一单一基材及该第二基材支撑件系适用以支撑一单一基材,该第一及第二支撑件系互相连接,且该第一及第二支撑件之其中一者系定位于另一者上方,及其中该第一及第二支撑件系连接至一电梯,该电梯系适用以使该第一及第二支撑件一起上升及下降;及其中该传送一未处理基材至该负载室中之一第一基材支撑件及一第二基材支撑件之其中一者的步骤包含使用一机械手臂以将该未处理基材传送至该负载室,及使用该电梯以使该第一及第二基材支撑件一起上升,及将该未处理基材定位于该负载室中之一第一基材支撑件及一第二基材支撑件之其中一者上;及其中该传送该已处理基材至该负载室中之该第二基材支撑件之步骤包含使用一机械手臂以将该已处理基材传送至该负载室,及使用该电梯以使该第一及第二基材支撑件一起上升,及将该已处理基材定位于该第二基材支撑件上;及其中藉由移动该第二基材支撑之至少一部份穿越该冷却板上之该些孔径,以传送该基材至该负载室中之该冷却板的步骤包含:使用该电梯以使该第一及第二基材支撑件一起下降并将该已处理基材定位于该冷却板上。44.如申请专利范围第42项所述之方法,其中该负载室中包含一加热器,且更包含在该已处理基材的冷却期间使用该加热器,以便在该已处理基材冷却时用以控制该已处理基材上之温度分布。45.如申请专利范围第42项所述之方法,更包含将该负载室建构成使得该第一基材支撑件定位于该第二基材支撑件及该冷却板上方的步骤。46.如申请专利范围第45项所述之方法,更包含将该负载室建构成使得一加热器定位于该负载室内之该第一基材支撑件上方的步骤。47.如申请专利范围第42项所述之方法,其中该第二基材支撑件至少包含:复数个支撑件,且藉由移动该第二基材支撑之至少一部份穿越该冷却板上之该些孔径的步骤至少包含:经由该些开口之一以降低该些支撑件,使各支撑件之上部降低至该冷却板上表面下方之一位置。48.如申请专利范围第47项所述之方法,其中该冷却板上表面包括数个内开口及外开口,该些外开口系位在较该些内开口靠近该冷却板周围之处;其中该复数个销包括数个内支撑件及外支撑件;其中该些内支撑件系与该些内开口对准,而该些外支撑件系与该些外开口对准;以及其中上述藉由移动该第二基材支撑件之至少一部份穿越该冷却板之该些开口之步骤至少包括:经由一内开口来降低该些支撑件,以使各内支撑件之上部降低至该冷却板上表面下方之一位置,并经由一外开口来降低该些支撑件,以使各外支撑件之上部降低至该冷却板上表面下方之一位置。49.如申请专利范围第47项所述之方法,其中该下支撑结构系耦接至一位于该冷却板下方之下支撑板,其中该下支撑板及位于该已处理基材上及该上支撑结构下方之该板系与一升降机相互耦接,且其中该已处理基材由该下支撑结构传送至该冷却板之步骤至少包含降低该升降机。50.如申请专利范围第49项所述之方法,其中更包含将该未处理基材传送至该负载室外的处理室之前,先于该负载室中加热该未处理基材,其中该加热器系位于一上支撑板上,该上支撑板系与该下支撑板及该板相耦接,而该板系位于该已处理基材上方及该上支撑结构下方。图式简单说明:第1图为一丛集工具之俯视图,其包含一负载室,一传送室,及依据本发明之一实施例之处理室。第2图为依据本发明之一实施例之第1图之负载室之部份之剖面图。第3图为依据本发明之一实施例之负载室之立体图。第4图为第3图之负载室之立体图,其包含一外体部,其绕着依据本发明之一实施例之内隔间。第5图为第3及4图之负载室之立体图,其包含依据本发明之一实施例之一盖部及一下部。第6a图为依据本发明之一实施例之负载室之某内部元件之分解图。第6b图为第6图之负载室之立体图,当依据本发明之一实施例组合在一起。第7a-f图为一处理图,其依据本发明之一实施例。第8图为依据本发明之一实施例之装载/卸载状况之负载系统之一部份之立体图。第9图为依据本发明之一实施例之冷却状况中之负载系统一部份之立体图。第10图为依据本发明之一实施例之具有冷却剂承载通道于其中之冷却板之剖面图。第11图为依据本发明之一实施例之冷却板底部份之具冷却剂承载通道之冷却板之剖面图。第12图为依据本发明之一实施例之具有冷却剂承载通道于其中间板中之剖面图。第13图为依据本发明之一实施例之于中间板上部份,具有冷却剂承载通道之中间板之剖面图。第14图为依据本发明之一实施例之具高发射区之板的剖面图。第15图为一依据本发明之一实施例之冷却板及基材支撑系统之剖面图。第16图为依据本发明之一实施例之丛集室之俯视剖面图。第17图为依据本发明之一实施例之丛集室之俯视剖面图。 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