| 发明名称 | 高密度磁随机存取存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高密度磁随机存取存储器及其操作方法。该高密度磁存储器包括：形成在衬底上的垂直晶体管；形成在垂直晶体管上的磁存储元件，该磁存储元件使用磁性材料来存储数据；通过磁性存储元件连接晶体管的位线；在位线之上并跨过位线的用于写入的字线；以及形成在用于写入的字线和用于写入的字线之下的其它元件之间的绝缘层。根据该高密度磁存储器，可以制造具有垂直晶体管的高密度磁存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN1433022A | 申请公布日期 | 2003.07.30 |
| 申请号 | CN02145701.8 | 申请日期 | 2002.09.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴祥珍;朴玩濬;金泰完;宋利宪 |
| 分类号 | G11C11/14 | 主分类号 | G11C11/14 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种磁存储器，包括：形成在衬底上的垂直晶体管；形成在垂直晶体管上的磁存储元件，该磁存储元件使用磁性材料来存储数据；通过磁性存储元件连接晶体管的位线；在位线之上并跨过位线的用于写入的字线；以及形成在用于写入的字线和用于写入的字线之下的其它元件之间的绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||