| 主权项 |
1.一种图案轮廓之即时监测的方法,该方法至少包含:于一晶片上形成一图案层,其中该晶片可区分成复数晶粒;沈积一绝缘层于该图案层上;以及藉由缺陷量测机台,比较一晶片上相邻之晶粒,判断其中该绝缘层于该相邻之晶粒间之相对应位置于图案轮廓的差异,以监控该图案层之图案轮廓。2.如申请专利范围第1项所述之图案轮廓之即时监测的方法,其中该绝缘层为氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之图案轮廓之即时监测的方法,更包含步骤:以高密度电浆化学气相沈积制程沉积上述之绝缘层。4.如申请专利范围第1项所述之图案轮廓之即时监测的方法,其中该绝缘层之沈积厚度为该图案层之高度的1/2至3/2。5.一种图案轮廓之即时监测的方法,该方法包括:于一晶片上形成一图案层,其中该晶片可区分成复数晶粒;利用高密度电浆化学气相沈积制程以沈积一绝缘层于该图案层上;以及选择一晶片上之数个晶粒,并比较该绝缘层于该些晶粒间之相对应位置的高度差异,以监控该图案层之图案轮廓。6.如申请专利范围第5项所述之图案轮廓之即时监测的方法,其中该绝缘层为氧化矽层。7.如申请专利范围第5项所述之图案轮廓之即时监测的方法,其中该绝缘层之沈积厚度为该图案层之高度的1/2至3/2。8.如申请专利范围第5项所述之图案轮廓之即时监测的方法,其中上述之比较步骤系依据上述之绝缘层对光的反射及折射上的差异而判定。9.如申请专利范围第5项所述之图案轮廓之即时监测的方法,其中上述之比较步骤系使用一缺陷量测机台来进行。10.如申请专利范围第5项所述之图案轮廓之即时监测的方法,其中上述之比较步骤系使用一折射率量测机台来进行。图式简单说明:第1图系表示正常的图案轮廓与各种异常的图案轮廓的剖面图。第2A图至第2B图系绘示依据本发明一较佳实施例之一种图案轮廓之即时监测的方法之流程剖面图。 |
