| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为:具备:将由基板的一主面之第1边侧朝向与前述第1边对向之第2边侧留有指定之间隔而被构装在前述基板之一主面上的复数的半导体晶片与前述基板一齐地配置于成形模具之模穴的内部,之后,在前述模穴之内部由前述基板之一主面之第1边侧朝向第2边侧注入树脂,形成总括密封前述复数的半导体晶片之树脂密封体的工程,进而,具备在形成前述树脂密封体的工程之前,去除残留在前述基板之一主面之不纯物之工程。2.如申请专利范围第1项记载之半导体装置之制造方法,其中去除残留在前述基板之一主面之不纯物之工程系以电浆洁净法进行。3.如申请专利范围第2项记载之半导体装置之制造方法,其中前述电浆洁净法系去除残留在前述基板之一主面之不纯物之同时,也使前述基板之一主面粗面化者。4.如申请专利范围第1-3项之任一项记载之半导体装置之制造方法,其中进而具备:在形成前述树脂密封体之工程前,在前述基板之一主面构装前述复数的半导体晶片之工程,去除残留在前述基板之一主面的不纯物之工程系在构装前述复数的半导体晶片之工程之后,在形成前述树脂密封体之工程之前进行。5.如申请专利范围第4项记载之半导体装置之制造方法,其中构装前述复数的半导体晶片之工程系包含:在前述配线基板之一主面黏着固定前述半导体晶片之工程;以及以焊线电气地连接被形成在前述半导体晶片之一主面的电极焊垫与被形成在前述配线基板之一主面之连接之工程。6.如申请专利范围第5项记载之半导体装置之制造方法,其中进而具备:在黏着固定前述半导体晶片之工程之后,在以焊线电气地连接之工程之前,以电浆洁净法去除残留在前述半导体晶片之电极焊垫之表面以及前述基板的连接部之表面的不纯物之工程。7.如申请专利范围第1项记载之半导体装置之制造方法,其中前述基板系树脂基板。8.如申请专利范围第1项记载之半导体装置之制造方法,其中前述基板系于其之一主面具有树脂模。9.如申请专利范围第1项记载之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶片系其之平面形成为方形,前述半导体晶片之相互对向之2个边对于前述树脂之注入方向为交叉。10.如申请专利范围第1项记载之半导体装置之制造方法,其中前述树脂系混入多数之填充物。11.如申请专利范围第1项记载之半导体装置之制造方法,其中前述树脂系混入有多数之填充物之环氧系的热硬化性树脂。12.如申请专利范围第1项记载之半导体装置之制造方法,其中进而具备:在形成前述树脂密封体之工程之后,前述各半导体晶片地分割前述树脂密封体以及前述基板之工程。13.一种半导体晶片之制造方法,其特征为:具备:将由基板的一主面之第1边侧朝向与前述第1边对向之第2边侧留有指定之间隔而被构装在前述基板之一主面上的复数的半导体晶片与前述基板一齐地配置于成形模具之模穴的内部,之后,在前述模穴之内部由前述基板之一主面之第1边侧朝向第2边侧注入树脂,形成总括密封前述复数的半导体晶片之树脂密封体的工程,进而,具备在形成前述树脂密封体的工程之前,于前述基板之一主面施以粗面化处理之工程。14.如申请专利范围第13项记载之半导体装置之制造方法,其中前述粗面化处理系以电浆洁净法进行。15.如申请专利范围第14项记载之半导体装置之制造方法,其中前述电浆洁净法系去除残留在前述基板之一主面之不纯物之同时,也使前述基板之一主面粗面化者。16.如申请专利范围第13项记载之半导体装置之制造方法,其中进而具备:在形成前述树脂密封体之工程前,在前述配线基板之一主面构装前述复数的半导体晶片之工程,施行前述粗面化处理之工程系在构装前述复数的半导体晶片之工程之后,在形成前述树脂密封体之工程之前进行。17.如申请专利范围第16项记载之半导体装置之制造方法,其中构装前述复数的半导体晶片之工程系包含:在前述配线基板之一主面黏着固定前述半导体晶片之工程;以及以焊线电气地连接被形成在前述半导体晶片之一主面的电极焊垫与被形成在前述配线基板之一主面之连接之工程。18.如申请专利范围第17项记载之半导体装置之制造方法,其中进而具备:在黏着固定前述半导体晶片之工程之后,在以焊线电气地连接之工程之前,以电浆洁净法对前述半导体晶片之电极焊垫之表面以及前述基板的连接部之表面施以洁净处理之工程;19.如申请专利范围第13项记载之半导体装置之制造方法,其中前述基板为树脂基板。20.如申请专利范围第13项记载之半导体装置之制造方法,其中前述基板为在其之一主面具有树脂层。21.如申请专利范围第13项记载之半导体装置之制造方法,其中前述半导体晶片系其之平面形成为方形,前述半导体晶片之相互对向之2个边对于前述树脂之注入方向为交叉。22.如申请专利范围第13项记载之半导体装置之制造方法,其中前述树脂系混入多数之填充物。23.如申请专利范围第13项记载之半导体装置之制造方法,其中前述树脂系混入有多数之填充物之环氧系的热硬化性树脂。24.如申请专利范围第13项记载之半导体装置之制造方法,其中进而具备:在形成前述树脂密封体之工程之后,前述各半导体晶片地分割前述树脂密封体以及前述基板之工程。25.一种半导体装置之制造方法,其特征为:具备:将由基板的一主面之第1边侧朝向与前述第1边对向之第2边侧留有指定之间隔而被构装在前述基板之一主面上的复数的第1半导体晶片与分别被积层在前述各第1半导体晶片上之复数的第2半导体晶片与前述基板一齐地配置于成形模具之模穴的内部,之后,在前述模穴之内部由前述基板之一主面之第1边侧朝向第2边侧注入树脂,形成总括密封前述复数的半导体晶片之树脂密封体的工程,进而,具备在形成前述树脂密封体的工程之前,去除残留在前述基板之一主面之不纯物之工程。26.如申请专利范围第25项记载之半导体装置之制造方法,其中去除残留在前述基板之一主面之不纯物的工程系以电浆洁净法进行。27.一种半导体装置之制造方法,其特征为:具备:将由基板的一主面之第1边侧朝向与前述第1边对向之第2边侧留有指定之间隔而被构装在前述基板之一主面上的复数的第1半导体晶片与分别被积层在前述各第1半导体晶片上之复数的第2半导体晶片与前述基板一齐地配置于成形模具之模穴的内部,之后,在前述模穴之内部由前述基板之一主面之第1边侧朝向第2边侧注入树脂,形成总括密封前述复数的半导体晶片之树脂密封体的工程,进而,具备在形成前述树脂密封体的工程之前,于前述基板之一主面施以粗面化处理之工程。28.如申请专利范围第27项记载之半导体装置之制造方法,其中前述粗面化处理系以电浆洁净法进行。图式简单说明:图1系显示本发明之实施形态1之半导体装置的概略构成图((A)系去除树脂密封体之状态的模型平面图、(B)系沿着(A)之a-a线之模型剖面图。图2系放大图1(B)之一部份之模型剖面图。图3系使用于实施形态1之半导体装置之制造的基板(分割用基板)之模型平面图。图4系放大图3之一部份之模型剖面图。图5系沿着图4之b-b线之模型剖面图。图6系显示使用于实施形态1之半导体装置的制造之成形模具之上模的概略构成之模型平面图。图7系显示使用于实施形态1之半导体装置的制造之成形模具之下模的概略构成之模型平面图。图8系显示使用于实施形态1之半导体装置的制造之成形模具的概略构成之模型剖面图。图9(A)、(B)系说明实施形态1之半导体装置之制造用之模型剖面图。图10(A)、(B)系说明实施形态1之半导体装置之制造用之模型剖面图。图11系说明半导体装置之制造用之模型剖面图。图12系说明实施形态1之半导体装置之制造中,树脂密封工程用之图((A)系模型平面图、(B)系模型剖面图)。图13系说明实施形态1之半导体装置之制造中,树脂密封工程用之图((A)系模型平面图、(B)系模型剖面图)。图14系说明实施形态1之半导体装置之制造中,树脂密封工程用之图((A)系模型平面图、(B)系模型剖面图)。图15系说明实施形态1之半导体装置之制造中,树脂密封工程用之图((A)系模型平面图、(B)系模型剖面图)。图16(A)、(B)系说明实施形态1之半导体装置之制造用之模型剖面图。图17系显示本发明之实施形态2之半导体装置的概略构成之模型剖面图。图18(A)、(B)系说明实施形态2之半导体装置之制造用之模型剖面图。图19(A)、(B)系说明实施形态2之半导体装置之制造用之模型剖面图。图20系显示本发明之实施形态3之半导体装置的概略构成之模型剖面图。图21(A)、(B)系说明实施形态3之半导体装置之制造用之模型剖面图。图22(A)、(B)系说明实施形态3之半导体装置的概略构成之模型剖面图。图23系说明于习知之半导体装置之制造中,树脂密封工程用之图((A)系模型平面图、(B)系模型剖面图)。图24系说明于习知之半导体装置之制造中,树脂密封工程用之图((A)系模型平面图、(B)系模型剖面图)。图25系说明于习知之半导体装置之制造中,树脂密封工程用之图((A)系模型平面图、(B)系模型剖面图)。图26系说明于习知之半导体装置之制造中,树脂密封工程用之图((A)系模型平面图、(B)系模型剖面图)。 |
