| 主权项 |
1.一种用以输送预定电流至负载元件上之电流镜,其包含:一个参考电路,其提供第一参考电压及参考电流;一个参考输出电路,其接收上述参考电压且包含第一电流路径,该第一电流路径之电流大致系上述参考电流之第一预定倍数,而上述第一电流路径包含第一电路节点;一个偏压电路,其接收上述第一参考电压且包含第二电流路径,该第二电流路径之电流大致系上述参考电流之第一预定倍数,而上述第二路径包含第二电路节点,上述偏压电路之配置系使得上述第二电路节点具有与上述第一电路节点之电压大致上相等之电压;以及一个输出电路,其包含一个串接电晶体,上述输出电路接收上述第一参考电压且串联上述串接电晶体及上述负载以形成第三电流路径,该第三电流路径所流动之电流大致系上述参考电流之第二预定倍数,上述串接电晶体系由上述第二电路节点之上述电压所控制。2.如申请专利范围第1项之电流镜,其中,上述参考输出电路包含一个闸极及汲极端连接至上述第一电路节点的第一电晶体,且其中,上述偏压电路包含一个闸极端连接至上述第二电路节点的第二电晶体。3.如申请专利范围第2项之电流镜,其中,上述偏压电路更包含一个第三电晶体,其闸极端连接至上述串接电晶体之闸极端,其汲极端连接至上述第二电路节点,且其源极端连接至上述第二电晶体之汲极端。4.如申请专利范围第1项之电流镜,其中,上述第一预定倍数及上述第二预定倍数系大致相等。5.如申请专利范围第3项之电流镜,其中,上述串接电晶体及上述第三电晶体具有大致相等之宽长比。6.如申请专利范围第3项之电流镜,其中,上述串接电晶体具有较上述第三电晶体之宽长比为大之宽长比。7.如申请专利范围第3项之电流镜,其中,更包含一个第二输出电路,上述第二输出电路具有一个串接电晶体及一个负载元件,其中,上述第二输出电路之上述串接电晶体及上述第二输出电路之上述负载元件之尺寸系正比于上述第一输出电路之上述串接电晶体及上述输出电路之上述负载元件。图式简单说明:图1说明一个具有不同负载元件连接至其输出分支的习知技术之电流源20。图2说明一个习知技术所知的串接电流源60。图3A说明一个根据本发明实施例之串接电流源100A。图3B说明在图3A中所描述之本发明实施例上加入额外之电流产生电路80B及80C。图4A说明本发明之实施例的一项可能应用之IPTAT产生器电路200A。图4B说明本发明之实施例的一项可能应用之IPT VBE产生器电路200B。 |
