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<p>In einem Substrat (1) wird für einen Kondensator einer Speicherzelle der DRAM-Zellenanordnung eine Vertiefung (V) erzeugt. In der Vertiefung (V) werden eine Isolation (I) und ein Speicherknoten (SP) des Kondensators erzeugt. Über dem Speicherknoten (SP) wird ein Spacer aus Silizium erzeugt. Ein erster Teil des Spacers wird durch schräge Implantation dotiert. Unter Ausnutzung der unterschliedlichen Dotierung des ersten Teils des Spacers wird der Spacer strukturiert. Mit Hilfe des strukturierten Spacers als Maske, werden der Speicherknoten (SP) und die Isolation (I) derart verändert, dass der Speicherknoten (SP) nur in einem begrenzten Ausschnitt einer Flanke der Vertiefung (V) direkt an das Substrat (1) angrenzt und ansonsten durch die Isolation (I) vom Substrat (1) getrennt ist.</p> |
