| 发明名称 | 发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管,包括:衬底;发光层;第一覆盖层,有第一导电类型和大于发光层禁带宽度的禁带宽度;第二覆盖层,有第二导电类型和大于发光层禁带宽度的禁带宽度;和层间阻挡层,有与发光层相同但与第一或第二覆盖层不同的导电类型,有小于第一或第二覆盖层禁带宽度但大于发光层禁带宽度的禁带宽度。该发光二极管有双异质结结构,发光层插入第一和第二覆盖层之间。层间阻挡层设置在发光层和第一覆盖层之间和/或设置在发光层和第二覆盖层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1257313A | 申请公布日期 | 2000.06.21 |
| 申请号 | CN99127756.2 | 申请日期 | 1999.11.30 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 中津弘志;村上哲朗;细羽弘之;仓桥孝尚 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，包括：衬底；发光层；第一覆盖层，有第一导电类型和大于发光层禁带宽度的禁带宽度；第二覆盖层，有第二导电类型和大于发光层禁带宽度的禁带宽度；和层间阻挡层，有与发光层相同但与第一或第二覆盖层不同的导电类型，有小于第一或第二覆盖层禁带宽度但大于发光层禁带宽度的禁带宽度，其中，发光二极管有双异质结结构，发光层插入在第一和第二覆盖层之间；层间阻挡层设置在发光层和第一覆盖层之间和/或设置在发光层和第二覆盖层之间。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||