| 发明名称 |
A method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit,and a structure thereof |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2248518(B) |
申请公布日期 |
1995.04.05 |
| 申请号 |
GB19910020101 |
申请日期 |
1991.09.20 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
JEONG-HYEOK * CHOI;KEON-SOO * KIM |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/94;H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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