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Dispositif à semi-conducteurs comprenant sur un substrat une première région semi-conductrice d'un type de conduction, des premières régions de source et de drain du type de conduction opposé formées dans la région susmentionnée, une première électrode de porte formée dans une région séparant lesdites régions de source et de drain, la première électrode de porte flottant électriquement à travers un film isolant, et au moins deux deuxièmes électrodes de porte reliées à ladite électrode de porte par couplage capacitif. Une couche inversée est formée sous ladite première électrode de porte et lesdites premières régions de source et de drain sont reliées électriquement entre elles uniquement lorsqu'une valeur de seuil déterminée est dépassée par la valeur absolue d'une valeur que l'on obtient en sommant linéairement les tensions pondérées appliquées aux deuxièmes électrodes de porte. |
