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<P>L'invention concerne un procédé de gravure ou de dépôt d'une couche à l'aide d'un plasma et un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé.</P><P>Ce procédé se caractérise en ce que ledit plasma est engendré par l'action conjuguée d'ondes hyperfréquences et d'ondes radiofréquences sur un milieu gazeux approprié. Le dispositif pour la mise en oeuvre du procédé comprend un support 7 logé dans une enceinte 1 étanche, apte à supporter ladite couche, des moyens de pompage 11 reliés à l'enceinte, des moyens 25, 23, 21a,... 21n pour introduire un milieu gazeux dans l'enceinte, des moyens 27, 29 pour engendrer des ondes hyperfréquences dans l'enceinte, et des moyens 31, 33, 35 pour engendrer des ondes radiofréquences dans l'enceinte.</P><P>L'invention s'applique à la gravure ou au dépôt de n'importe quelle couche, en particulier dans le domaine de la microélectronique.</P>
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