PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS MOS A ELECTRODES DE SILICIURE METALLIQUE

摘要

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TRES PETITES DIMENSIONS.L'ELECTRODE DE GRILLE 20 EST CONSTITUE PAR UNE PREMIERE COUCHE DE SILICIURE METALLIQUE; DES REMBLAIS ISOLANTS 30 SONT FORMES LE LONG DES BORDS LATERAUX DE LA GRILLE; PUIS UNE DEUXIEME COUCHE DE SILICIURE METALLIQUE 32 EST DEPOSEE POUR FORMER LES ELECTRODES DE SOURCE ET DE DRAIN; LA OU LA DEUXIEME COUCHE RECOUVRE LA PREMIERE, UN RABOTAGE PAR GRAVURE PLANARISANTE EST EFFECTUE DE SORTE QU'ON ABOUTIT A UNE STRUCTURE D'ELECTRODES PLANES DANS LAQUELLE LA GRILLE EST SEPAREE DES ELECTRODES DE SOURCE ET DRAIN PAR UN INTERVALLE PLUS PETIT QUE CE QUE PERMETTRAIT UNE SEPARATION PAR PHOTOGRAVURE.