| 摘要 |
<p>Une couche isolante (26), pourvue d'une ouverture correspondant à la position prévue pour l'électrode en saillie, est formée sur une plaquette gauffrée de semiconducteur possédant des couches de câblage en aluminium (25). Une couche métallique (27) est formée sur cette couche en tant que revêtement de fond pour le dépôt électrolytique et ensuite une couche de matière de protection avec une ouverture correspondante est appliquée en tant que masque, ce qui permet d'obtenir un placage métallique sous forme d'une électrode en saillie (29), ce métal permettant une liaison par fil. L'électrode saillante (29) est formée en enlevant des portions superflues de la couche de revêtement de fond (27) pour le placage ainsi que la couche de matière de protection, sauf à l'emplacement réservé à l'électrode saillante. L'électrode est composée d'une pluralité de couches (25), (27) et (29), formant un bon scellement à la surface d'une micro-plaquette (32). La micro-plaquette (32) est en outre pourvue d'une passivation vitreuse (35) et elle est moulée dans du plastique (36) après le soudage d'un fil (31), de manière à rendre le scellement encore plus efficace. Un procédé d'arrachage peut aussi être utilisé pour enlever la couche de revêtement de fond de placage (27).</p> |
