Vertikale Halbleitereinrichtung

摘要

[Zu lösendes Problem] Die Spanungsfestigkeit des peripheren Gebiets 6 der Halbleitereinrichtung 2 ist zu verbessern. [Mittel zum Lösen des Problems] Eine Resurf-Schicht 32 und ein Schutzring 30 sind in einem peripheren Gebiet 6 an einer Position auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats gebildet. Der Schutzring 30 ist tiefer gebildet als die Resurf-Schicht 32. Wenn der Schutzring 30 flach ist, ist das Verunreinigungskonzentrationsverhältnis der Resurf-Schicht 32 klein und der Widerstand ist klein, deswegen wird das Potenzial an dem tiefen Abschnitt der Resurf-Schicht 32 unstabil, und die Resurf-Schicht 32 übt nicht ausreichend den Effekt des Verbesserns der Spannungsfestigkeit aus. Wenn der Schutzring 30 tief ist, ist das Verunreinigungskonzentrationsverhältnis des Schutzrings 30 groß und der Widerstand ist klein, deswegen wird das Potenzial an dem tiefen Abschnitt der Resurf-Schicht 32 durch den Schutzring reguliert und die Resurf-Schicht 32 übt ausreichend den Effekt des Verbesserns der Spannungsfestigkeit aus.