发明名称 |
一种制备三维多枝状硒化铜纳米晶光电薄膜材料的化学方法 |
摘要 |
一种制备三维多枝状硒化铜纳米晶光电薄膜材料的化学方法。该材料的制法是把铜片或具有金属铜表面的基底材料,单质硒粉,以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中,在190℃或大于190℃温度下直接反应1-3小时,在金属铜表面原位制得由三维树枝状结构的硒化铜纳米晶组成的光电薄膜材料。这种薄膜材料表现出了较好的光吸收和光致发光性能。反应结束后,自然冷却至室温,最后产物用无水乙醇清洗,50℃以下干燥。所述的具有金属铜表面的基底材料是指金属铜片以及表面镀了一层纳米金属铜的导电玻璃ITO。本发明使用有机醇溶剂作为反应介质,环境友好;没用任何添加剂及表面活性剂,不需要后续的提纯步骤并且晶型完美;反应快捷,操作方便,大大降低成本。 |
申请公布号 |
CN101635315A |
申请公布日期 |
2010.01.27 |
申请号 |
CN200910063642.5 |
申请日期 |
2009.08.18 |
申请人 |
郑直 |
发明人 |
郑直;李大鹏;黄家伟;黄保军;张翼东;赵红晓;杨风岭;张礼之 |
分类号 |
H01L31/0272(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0272(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
代理人 |
张安国 |
主权项 |
1、一种硒化铜纳米晶光电薄膜材料,其特征在于:该材料为具有金属铜表面的基底材料上原位制得的三维树枝状硒化铜纳米晶组成的薄膜材料。 |
地址 |
461000河南省许昌市魏都区八一路88号 |