| 主权项 |
1.一种用于平面显示装置之薄膜电晶体结构,包括: 一基板,其具有一驱动电路区及一画素区; 至少一第一薄膜电晶体,设置于该基板之该驱动电 路区上,其包括一第一闸极电极、一第一源极/汲 极区、及一第一通道区;以及 至少一第二薄膜电晶体,设置于该基板之该画素区 上,其包括一第二闸极电极、一第二源极/汲极区 、及一第二通道区; 其中该第一及该第二薄膜电晶体之电性相同,而该 第一通道区之杂质浓度不同于该第二通道区。 2.如申请专利范围第1项所述之用于平面显示装置 之薄膜电晶体结构,更包括: 一内层介电层,覆盖该第一及该第二薄膜电晶体, 其具有复数孔洞以露出该第一及该第二源极/汲极 区; 一第一内连线,设置于该第一源极/汲极区上方之 该孔洞中以与其电性连接;以及 一第二内连线,设置于该第二源极/汲极区上方之 该孔洞中以与其电性连接。 3.如申请专利范围第1项所述之用于平面显示装置 之薄膜电晶体结构,其中该第一及该第二薄膜电晶 体为N型薄膜电晶体。 4.如申请专利范围第1项所述之用于平面显示装置 之薄膜电晶体结构,其中该第一及该第二薄膜电晶 体为P型薄膜电晶体。 5.如申请专利范围第1项所述之用于平面显示装置 之薄膜电晶体结构,其中该第一通道区之杂质浓度 低于该第二通道区。 6.一种用于平面显示装置之薄膜电晶体结构之制 造方法,包括下列步骤: 提供一基板,其具有一驱动电路区及一画素区; 在该基板之该驱动电路区上方形成一第一复晶矽 图案层且同时在该画素区上方形成一第二复晶矽 图案层; 在该基板之该驱动电路区上方形成一罩幕层以覆 盖该第一复晶矽图案层而露出该第二复晶矽图案 层; 利用该罩幕层作为布植罩幕来对该露出的第二复 晶矽图案层进行一第一离子布植程序,使该第一复 晶矽图案层之杂质浓度不同于该第二复晶矽图案 层; 去除该罩幕层; 分别在该第一及该第二复晶矽图案层上方依序形 成一闸极介电层及一闸极电极; 利用每一闸极电极作为布植罩幕来对该第一及该 第二复晶矽图案层进行一第二离子布植程序,以分 别在其中形成一源极/汲极区并定义出一通道区。 7.如申请专利范围第6项所述之用于平面显示装置 之薄膜电晶体结构之制造方法,更包括下列步骤: 在每一闸极电极上方覆盖一内层介电层,其具有复 数孔洞以露出每一源极/汲极区;以及 在每一孔洞中填入一导电层,以作为一内连线。 8.如申请专利范围第6项所述之用于平面显示装置 之薄膜电晶体结构之制造方法,其中该第一及该第 二复晶矽图案层系藉由对非晶矽层进行准分子雷 射退火而形成之。 9.如申请专利范围第6项所述之用于平面显示装置 之薄膜电晶体结构之制造方法,其中在进行该第二 离子布植程序之前,该第一复晶矽图案层之杂质浓 度低于该第二复晶矽图案层。 10.一种用于平面显示装置之薄膜电晶体结构之制 造方法,包括下列步骤: 提供一基板,其具有一驱动电路区及一画素区; 在该基板之该驱动电路区上方形成一第一复晶矽 图案层且同时在该画素区上方形成一第二复晶矽 图案层; 对该第一及该第二复晶矽图案层进行一第一型离 子布植程序; 在该基板之该画素区上方形成一罩幕层以覆盖该 第二复晶矽图案层并露出该第一复晶矽图案层; 利用该罩幕层作为布植罩幕来对该露出的第一复 晶矽图案层进行相反于该第一型离子布植程序之 第二型离子布植程序,使该第一复晶矽图案层之杂 质浓度不同于该第二复晶矽图案层; 去除该罩幕层; 分别在该第一及该第二复晶矽图案层上方依序形 成一闸极介电层及一闸极电极; 利用每一闸极电极作为布植罩幕来对该第一及该 第二复晶矽图案层进行一源极/汲极离子布植程序 ,以分别在其中形成一源极/汲极区并定义出一通 道区。 11.如申请专利范围第10项所述之用于平面显示装 置之薄膜电晶体结构之制造方法,更包括下列步骤 : 在每一闸极电极上方覆盖一内层介电层,其具有复 数孔洞以露出每一源极/汲极区;以及 在每一孔洞中填入一专电层,以作为一内连线。 12.如申请专利范围第10项所述之用于平面显示装 置之薄膜电晶体结构之制造方法,其中该第一及该 第二复晶矽图案层系藉由对非晶矽层进行准分子 雷射退火而形成之。 13.如申请专利范围第10项所述之用于平面显示装 置之薄膜电晶体结构之制造方法,其中该第一型离 子布植程序系一N型离子布植程序。 14.如申请专利范围第10项所述之用于平面显示装 置之薄膜电晶体结构之制造方法,其中该第一型离 子布植程序系一P型离子布植程序。 图式简单说明: 第1A至1F图系绘示出根据本发明第一实施例之用于 平面显示装置之薄膜电晶体结构之制造方法。 第2A至2G图系绘示出根据本发明第二实施例之用于 平面显示装置之薄膜电晶体结构之制造方法。 |
