| 摘要 |
本发明之显示装置及其制造方法，系不用依存于遮光构造，即可提高像素电晶体之耐光性本身者，其藉由将成为像素电晶体之活性层的多晶矽膜111之平均结晶粒径控制得较小，以抑制光漏电流。结晶粒径越小就包含越多的结晶缺陷。依光照射而激励的载子系可依缺陷位准而快速地补足，且抑制光漏电流之增大。另一方面，构成周边电晶体之多晶矽膜111的平均粒径系可控制成较大。结晶粒径越扩大载子之迁移率就越增大，且周边电晶体之驱动能力就变得越高。此系因比起像素电晶体，周边电晶体为了要进行像素之扫描或影像信号之取样，而被要求高速动作之故。 |
