于半导体装置中形成闸极氧化物之方法

摘要

本发明揭示一种形成一半导体装置之一闸极氧化物薄膜之方法，其包含以下步骤：在一半导体基板上连续形成一闸极氧化物薄膜及一多晶矽薄膜；对包括该闸极氧化物薄膜与该多晶矽薄膜之半导体基板实行一氮离子植入程序；实行一热处理程序以藉由在该半导体基板与该闸极氧化物薄膜之间之一介面处，以及在该闸极氧化物薄膜与该多晶矽薄膜之间之一介面处的氧化物与氮组合来形成阻障层；以及在该多晶矽薄膜上形成一氮化物薄膜。