发明名称 一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜,制备方法如下:1)在FTO玻璃上制备TiO<sub>2</sub>薄膜基底层;2)制备含V和W的多酸盐;3)将含V和W的多酸盐配置成浓度为10<sup>‑3</sup>mol L<sup>‑1</sup>数量级的水溶液,并用HCl调节pH值为1~3;4)利用电化学方法将含V和W的多酸盐沉积到步骤1)制备的带有TiO<sub>2</sub>薄膜基底层的FTO玻璃上;5)将电沉积后的导电基片取出,用去离子水,乙醇冲洗,热风吹干,随后置于马弗炉中,于空气气氛下进行高温烧结;自然冷却到室温,即可得到相应的钒掺杂的WO<sub>3</sub>电致变色薄膜。具有工艺简单、绿色环保、应用范围广、变色性能稳定、调光效果好、着色和褪色响应较快等优势。
申请公布号 CN106587654A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611068704.8 申请日期 2016.11.29
申请人 辽宁大学 发明人 王诗铭;金智恩;刘琳;郭前程;曲威
分类号 C03C17/34(2006.01)I 主分类号 C03C17/34(2006.01)I
代理机构 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人 胡洋
主权项 一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜,其特征在于,制备方法如下:1)在FTO玻璃上制备TiO<sub>2</sub>薄膜基底层;2)制备含V和W的多酸盐;3)将含V和W的多酸盐配置成浓度为10<sup>‑3</sup>mol L<sup>‑1</sup>数量级的水溶液,并用HCl调节pH值为1~3;4)利用电化学方法将含V和W的多酸盐沉积到步骤1)制备的带有TiO<sub>2</sub>薄膜基底层的FTO玻璃上;5)将电沉积后的导电基片取出,用去离子水,乙醇冲洗,热风吹干,随后置于马弗炉中,于空气气氛下进行高温烧结;自然冷却到室温,即可得到相应的钒掺杂的WO<sub>3</sub>电致变色薄膜。
地址 110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号