发明名称 |
一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜,制备方法如下:1)在FTO玻璃上制备TiO<sub>2</sub>薄膜基底层;2)制备含V和W的多酸盐;3)将含V和W的多酸盐配置成浓度为10<sup>‑3</sup>mol L<sup>‑1</sup>数量级的水溶液,并用HCl调节pH值为1~3;4)利用电化学方法将含V和W的多酸盐沉积到步骤1)制备的带有TiO<sub>2</sub>薄膜基底层的FTO玻璃上;5)将电沉积后的导电基片取出,用去离子水,乙醇冲洗,热风吹干,随后置于马弗炉中,于空气气氛下进行高温烧结;自然冷却到室温,即可得到相应的钒掺杂的WO<sub>3</sub>电致变色薄膜。具有工艺简单、绿色环保、应用范围广、变色性能稳定、调光效果好、着色和褪色响应较快等优势。 |
申请公布号 |
CN106587654A |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201611068704.8 |
申请日期 |
2016.11.29 |
申请人 |
辽宁大学 |
发明人 |
王诗铭;金智恩;刘琳;郭前程;曲威 |
分类号 |
C03C17/34(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/34(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 |
代理人 |
胡洋 |
主权项 |
一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜,其特征在于,制备方法如下:1)在FTO玻璃上制备TiO<sub>2</sub>薄膜基底层;2)制备含V和W的多酸盐;3)将含V和W的多酸盐配置成浓度为10<sup>‑3</sup>mol L<sup>‑1</sup>数量级的水溶液,并用HCl调节pH值为1~3;4)利用电化学方法将含V和W的多酸盐沉积到步骤1)制备的带有TiO<sub>2</sub>薄膜基底层的FTO玻璃上;5)将电沉积后的导电基片取出,用去离子水,乙醇冲洗,热风吹干,随后置于马弗炉中,于空气气氛下进行高温烧结;自然冷却到室温,即可得到相应的钒掺杂的WO<sub>3</sub>电致变色薄膜。 |
地址 |
110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号 |