| 发明名称 | 析氢阴极材料的低温制备方法及该析氢阴极材料的应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种析氢阴极材料的低温制备方法及该析氢阴极材料的应用。所述方法包括如下步骤：将活泼金属进行表面处理；将配制好的阴极活性材料的前驱反应溶液在零下20℃至0℃的温度进行恒温处理；将经过表面处理的活泼金属放置在阴极活性材料的前驱反应溶液中，并且在零下20℃至0℃的温度进行搅拌浸镀；以及将活泼金属取出并冲洗吹干之后，用作析氢阴极材料。本发明的制备方法在降低阴极材料制备成本的同时还提高了析氢性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103060839B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201110319969.1 | 申请日期 | 2011.10.20 |
| 申请人 | 新奥科技发展有限公司 | 发明人 | 沈晓彦;赵伟;王文韬;丁天朋;段晓菲 |
| 分类号 | C25B11/00(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I;C25B9/04(2006.01)I | 主分类号 | C25B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种析氢阴极材料的低温制备方法，所述方法包括如下步骤：将活泼金属进行表面处理；将配制好的阴极活性材料的前驱反应溶液在零下20℃至0℃的温度进行恒温处理；将经过表面处理的活泼金属放置在阴极活性材料的前驱反应溶液中，并且在零下20℃至0℃的温度进行搅拌浸镀。 | ||
| 地址 | 065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路新奥工业园区南区B座 | ||