| 发明名称 | 一种硅雪崩光电二极管组件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种硅雪崩光电二极管组件，硅雪崩光电二极管和距离所述硅雪崩光电二极管的衬底至少3倍光波波长处的超材料，所述超材料的电磁共振波长位于400nm-780nm之间，入射光通过超材料之后再进入硅雪崩光电二极管。本实用新型采用了制作工艺成熟和低成本的硅探测器件，借助超材料对可见光的强烈电磁共振吸收作用，将可见光阻挡在硅雪崩光电二极管之外，从而减小可见光对紫外探测的干扰，实现具有较高紫外/可见光识别比的紫外探测。 | ||
| 申请公布号 | CN205092256U | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201520887291.0 | 申请日期 | 2015.11.09 |
| 申请人 | 中蕊（武汉）光电科技有限公司 | 发明人 | 吕志勤;吕强;黄臻 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 庞红芳 |
| 主权项 | 一种硅雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述硅雪崩光电二极管组件包括：硅雪崩光电二极管和距离所述硅雪崩光电二极管的衬底至少3倍光波波长处的超材料以使入射光通过所述超材料之后再进入硅雪崩光电二极管，所述超材料的电磁共振波长位于400nm‑780nm之间。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道特1号国际企业中心3栋4层 | ||