| 发明名称 | 一种U型FinFET与非门结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种U型FinFET与非门结构及其制造方法，包括：衬底(100)；第一、第二、第三鳍片(210、220、230)，所述第一、第二、第三鳍片位于衬底(100)上方，其下半部分被字线包围，分别形成第一、第二、第三沟道区；所述字线位于所述第一、第二、第三鳍片长边的两侧，彼此平行，且相邻鳍片之间的字线相互连接；所述第一、第二和第三鳍片顶部未被所述字线包围的区域具有源漏区；隔离区(240)，所述隔离区(230)填充所述第一、第二、第三鳍片之间的区域，使鳍片彼此隔离。本发明提出了一种基于U型FinFET的与非门器件结构，使器件的栅长不受footprint尺寸限制，有效地解决了短沟道效应所带来的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105405841A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201410459146.2 | 申请日期 | 2014.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘云飞;尹海洲;李睿 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种U型FinFET与非门器件结构，包括：衬底(100)；第一、第二、第三鳍片(210、220、230)，所述第一、第二、第三鳍片位于衬底(100)上方，其下半部分被字线包围，分别形成第一、第二、第三沟道区；所述字线位于所述第一、第二、第三鳍片长边的两侧，彼此平行，且相邻鳍片之间的字线相互连接；所述第一、第二和第三鳍片顶部未被所述字线包围的区域具有源漏区；隔离区(240)，所述隔离区(230)填充所述第一、第二、第三鳍片之间的区域，使鳍片彼此隔离。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||