半导体衬底处理装置中包含气体喷射器的陶瓷喷头

摘要

本发明提供了半导体衬底处理装置中包含气体喷射器的陶瓷喷头，具体提供了一种电感耦合等离子体处理装置，其包括真空室、真空源和上面支承有半导体衬底的衬底支撑件。陶瓷喷头形成所述真空室的上壁。所述陶瓷喷头包括与用于供给工艺气体到所述真空室的所述内部的多个喷头气体出口流体连通的充气室，以及配置成容纳气体喷射器的开口。气体喷射器被布置在所述陶瓷喷头的开口中。所述气体喷射器包括用于供给工艺气体到所述真空室的所述内部的多个气体喷射器出口。RF能量源激励所述工艺气体成等离子体状态以处理所述半导体衬底。由气体喷射器供给的工艺气体的流率和由所述陶瓷喷头供给的工艺气体的流率能独立地控制。

主权项

一种电感耦合等离子体处理装置，其包括：真空室；真空源，其适于从所述真空室排出工艺气体和等离子体处理的副产物；衬底支撑件，在所述真空室的内部，半导体衬底被支撑在该衬底支撑件上；陶瓷喷头，其形成所述真空室的上壁，其中所述陶瓷喷头包括与用于供给工艺气体到所述真空室的所述内部的在其等离子体暴露表面中的多个喷头气体出口流体连通的充气室，以及配置成容纳中央气体喷射器的中央开口；中央气体喷射器，其布置在所述陶瓷喷头的所述中央开口中，其中所述中央气体喷射器包括用于供给工艺气体到所述真空室的所述内部的在其暴露表面中的多个气体喷射器出口；和RF能量源，其感应耦合RF能量通过所述陶瓷喷头并进入所述真空室以激励所述工艺气体成等离子体状态从而处理所述半导体衬底；其中，由所述中央气体喷射器供给的所述工艺气体的流率和由所述陶瓷喷头供给的所述工艺气体的流率能独立地受控。