| 发明名称 | 一种MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，包括：在形成多晶硅栅极的MOS晶体管表面淀积氮化硅层或二氧化硅层；在所述氮化硅层或二氧化硅层上涂光刻胶，经过曝光和显影后形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜对MOS晶体管进行源漏区的离子注入，形成源漏区；腐蚀所述氮化硅层或二氧化硅层，并以所述光刻胶图形为掩膜进行轻掺杂漏区的离子注入，形成轻掺杂漏区。该方法通过对工艺流程的优化，先生长氮化硅层(或二氧化硅层)形成侧墙，然后进行源漏极的光刻、离子注入，形成源漏极；再去除氮化硅(或二氧化硅层)，进行轻掺杂漏极的制作，省去了一层光刻，提高了工作效率，节约了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105185710A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201410247195.X | 申请日期 | 2014.06.05 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，包括：在形成多晶硅栅极的MOS晶体管表面淀积氮化硅层或二氧化硅层；在所述氮化硅层或二氧化硅层上涂光刻胶，经过曝光和显影后形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜对MOS晶体管进行源漏区的离子注入，形成源漏区；腐蚀所述氮化硅层或二氧化硅层，并以所述光刻胶图形为掩膜进行轻掺杂漏区的离子注入，形成轻掺杂漏区。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室 | ||