半导体器件

摘要

半导体器件包括在半导体衬底上的栅极。栅极的一个侧壁可以包括至少一个突起，以及栅极的对侧壁可以包括至少一个凹陷。接触件通过在栅极上设置的绝缘层来形成。接触件至少部分地与栅极中的突起中的至少一个重叠。金属层设置在绝缘层上。金属层包括向栅极的第一侧偏移的第一结构。第一结构至少部分地与接触件重叠，以使得接触件通过绝缘层将第一结构和栅极电耦合。

主权项

一种半导体器件，包括：在半导体衬底上的栅极，其中所述栅极的一个侧壁包括至少一个突起，以及所述栅极的对侧壁包括至少一个凹陷；在所述栅极上设置的绝缘层；通过所述绝缘层形成的接触件，其中所述接触件至少部分地与所述栅极中的所述突起中的至少一个重叠；在所述绝缘层上设置的金属层，其中所述金属层包括：向所述栅极的第一侧偏移的第一结构，以及其中所述第一结构至少部分地与所述接触件重叠，以使得所述接触件通过所述绝缘层将所述第一结构和所述栅极电耦合；位于与所述栅极的所述第一侧相对的所述栅极第二侧上的所述金属层中的第二结构，其中所述第二结构与所述第一结构电隔离，其中所述接触件和所述第一结构允许所述第二结构位于所述栅极与至少一个另外的栅极之间；以及在所述绝缘层中形成的至少一个另外的接触件，其中所述另外的接触件被配置为通过所述绝缘层将所述器件的活动区域与所述第二结构耦合。