发明名称 半導体装置とその製造方法
摘要 簡単な構造で良好な放熱特性を備えたフィン一体型の半導体装置を提供する。半導体装置は、相対向する第1の主面と第2の主面を有し、立設する複数のフィン(8)と複数のフィン(8)を包囲する盛上り部(20)が第1の主面に設けられているベース板(2)と、ベース板(2)の第2の主面に形成された絶縁層(3)と、絶縁層(3)に固定された回路パターン(4)と、回路パターン(4)に接続された半導体素子(5)と、絶縁層(3)と回路パターン(4)と半導体素子(5)を封止する封止樹脂(6)とを備えている。ベース板(2)の第1の主面に設けられている盛上り部(20)は複数のフィン(8)の周囲を連続して包囲している。
申请公布号 JPWO2013125474(A1) 申请公布日期 2015.07.30
申请号 JP20140500698 申请日期 2013.02.18
申请人 三菱電機株式会社 发明人 山本 圭;多田 和弘
分类号 H01L23/29;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L23/29
代理机构 代理人
主权项
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