| 摘要 |
산화물 반도체층을 포함하는 트랜지스터는 안정된 전기 특성들을 가질 수 있다. 덧붙여, 이러한 트랜지스터를 포함하는 높은 신뢰도의 반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는, 산화물층과 산화물 반도체층을 포함하는 다층막, 다층막과 접하는 게이트 절연막, 및 게이트 절연막을 개재하여 다층막과 중첩하는 게이트 전극을 포함한다. 반도체 장치에서, 산화물 반도체층은 인듐을 함유하고, 산화물 반도체층은 산화물층과 접하고, 산화물층은 인듐을 함유하고, 산화물 반도체층의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 갖는다. |
