发明名称 |
包括具有相变存储器件的分压器的非易失存储器电路 |
摘要 |
本发明涉及一种存储器电路,其包括具有第一相变存储器(PCM)器件和耦合到该第一PCM器件的第二PCM器件的分压器。在一个实施例中,该第一PCM器件在设置电阻态,并且该第二PCM器件在复位电阻态。同样,在一个实施例中,该分压器进一步包括耦合到该第一PCM器件的第一开关与耦合到该第一开关和该第二PCM器件的第二开关。在一个实施例中,存储器电路进一步包括耦合到该分压器的半锁存器以及耦合到该半锁存器和该分压器的级联晶体管。 |
申请公布号 |
CN102282623B |
申请公布日期 |
2014.10.22 |
申请号 |
CN201080004760.X |
申请日期 |
2010.01.07 |
申请人 |
阿尔特拉公司 |
发明人 |
P·J·麦克尔赫尼;R·G·斯莫伦;J·C·科斯特洛 |
分类号 |
G11C13/02(2006.01)I;G11C14/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C13/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
一种存储器电路,包含:分压器,包括:第一相变存储器器件;和耦合到所述第一相变存储器器件的第二相变存储器器件;耦合到所述分压器的半锁存器;和耦合到所述半锁存器和所述分压器的级联晶体管,其中所述半锁存器耦合到过驱动电压端子,进一步地所述级联晶体管的第一端子耦合到所述半锁存器的输出节点,所述级联晶体管的第二端子耦合到所述半锁存器的输入节点,所述级联晶体管的第三端子直接耦合到所述过驱动电压端子,其中所述第一端子是所述级联晶体管的栅极端。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |