| 摘要 |
Ein hier angegebenes beispielhaftes Verfahren umfasst: Ausbilden eines Grabens/Durchgangs in einer Schicht aus Isolationsmaterial; Ausbilden einer Grenzschicht in wenigstens dem Graben/Durchgang; nach dem Ausbilden der Grenzschicht, Durchführen wenigstens eines Prozessschrittes, um Mangan in die Grenzschicht einzuführen und dadurch eine Mangan enthaltende Grenzschicht zu definieren; Ausbilden einer im Wesentlichen reinen, kupferbasierten Seedschicht über der Mangan enthaltenden Grenzschicht; Deponieren eines kupferbasierten Materials über der kupferbasierten Seedschicht, um den Graben/Durchgang zu überfüllen; und Entfernen von überständigen Materialien außerhalb des Grabens/Durchgangs, um dadurch eine kupferbasierte leitende Struktur zu definieren. |
