发明名称 偏压电路、LNA、LNB、通讯用接收机、通讯用发送机及感测系统
摘要 一种HEMT偏压电路(11),其系用于源极端子(4)接地之HEMT(1)者,且包括两电源型之运算放大器(AMP1)、电阻元件(RI)、第1基准电压源(VX)、以及第2基准电压源(VY),运算放大器(AMP1)系正输入端子连接于HEMT(1)之汲极端子(3),负输入端子连接于第2基准电压源(VY),输出端子连接于HEMT(1)之闸极端子(2),电阻元件(RI)系一端子连接于HEMT(1)之汲极端子(3),另一端子连接于第1基准电压源(VX)。藉此,实现温度依存性之降低、电源电压依存性之降低、电源电压及负电压中叠加之杂讯之充分衰减、且制造制程之选定自由度之提升。
申请公布号 TWI449326 申请公布日期 2014.08.11
申请号 TW099136791 申请日期 2010.10.27
申请人 夏普股份有限公司 日本 发明人 丸山正彦
分类号 H03F1/30;H03F3/16;H03F3/72 主分类号 H03F1/30
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼;林宗宏 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种偏压电路,其特征在于:其系用于源极端子接地之放大用FET者,且包括:单一电源型之第1差动放大器、单一电源型之第2差动放大器、第1电晶体、第2电晶体、第1电阻元件、第2电阻元件、第3电阻元件、第4电阻元件、第5电阻元件、基准电压源、以及负电源电压源;且上述第1电晶体系具有第1导通端子、第2导通端子、以及控制端子;上述第2电晶体系具有第1导通端子、第2导通端子、以及控制端子;上述第1差动放大器系第1输入端子介以上述第5电阻元件而连接于上述第2电晶体之第2导通端子,第2输入端子连接于上述放大用FET之汲极端子,输出端子连接于上述第1电晶体之控制端子;上述第2差动放大器系第1输入端子介以上述第4电阻元件及上述第5电阻元件而连接于上述第2电晶体之第2导通端子,第2输入端子连接于上述基准电压源,输出端子连接于上述第2电晶体之控制端子;上述第1电晶体系第1导通端子连接于电源电压,第2导通端子连接于上述放大用FET之闸极端子;上述第2电晶体系第1导通端子连接于电源电压,第2导通端子以上述第5电阻元件、上述第4电阻元件及上述第3电阻元件之顺序介以该等电阻元件而接地;上述第1电阻元件系一端子连接于上述放大用FET之汲极端子,另一端子连接于上述第2电晶体之第2导通端子;上述第2电阻元件系一端子连接于上述放大用FET之闸极端子,另一端子连接于上述负电源电压源。
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