| 发明名称 | 高k金属栅极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造高k金属栅极结构的方法，包括：在半导体衬底上依次形成界面层、高k介电层、底部TiN层/TaN层/顶部TiN层、替代栅极层；根据要形成的栅极图案对半导体衬底上的各层进行刻蚀；形成源漏区；依次沉积接触刻蚀停止层和层间介电层；利用替代栅极层作为停止层进行平坦化；利用干法刻蚀工艺去除替代栅极层和部分的顶部TiN层；利用湿法刻蚀工艺去除顶部TiN层的剩余部分；沉积金属以及平坦化形成金属栅极层。 | ||
| 申请公布号 | CN103794481A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201210422214.9 | 申请日期 | 2012.10.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凤莲;倪景华;韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王莉莉 |
| 主权项 | 一种制造高k金属栅极结构的方法，包括：在半导体衬底上依次形成界面层、高k介电层、底部TiN层/TaN层/顶部TiN层、替代栅极层；根据要形成的栅极图案对半导体衬底上的各层进行刻蚀；形成源漏区；依次沉积接触刻蚀停止层和层间介电层；利用替代栅极层作为停止层进行平坦化；利用干法刻蚀工艺去除替代栅极层和部分的顶部TiN层；利用湿法刻蚀工艺去除顶部TiN层的剩余部分；以及在底部TiN层/TaN层上形成金属栅极层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||