| 发明名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 发明提供一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个衬底，在所述衬底上形成栅堆叠，并在所述衬底之中形成源/漏区；刻蚀所述源/漏区，以形成沟槽；在刻蚀后的所述源/漏区的表面上形成接触层；在所述沟槽内形成应力产生材料层；沉积层间介质层，并形成与所述应力产生材料相接触的接触塞。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过刻蚀源/漏区形成沟槽，以增加所述源/漏区暴露的区域，然后在所述源/漏区的表面上形成接触层，并在所述沟槽内填充应力产生材料，在有效地减小了源/漏区与接触层之间接触电阻的同时，还向沟道中引入了应力，改善了沟道中载流子的迁移率，从而提高了半导体结构的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103632972A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210304223.8 | 申请日期 | 2012.08.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;赵超;杨达;罗军 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波;何平 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供一个衬底(100)，在所述衬底(100)上形成栅堆叠，并在所述衬底（100）之中形成源/漏区(110)；b)刻蚀所述源/漏区(110)，以形成沟槽；c)在刻蚀后的所述源/漏区(110)的表面上形成接触层(112)；d)在所述沟槽内形成应力产生材料层（113）；e)沉积层间介质层(300)，并形成与所述应力产生材料相接触的接触塞。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||