一种晶体硅太阳能电池片及其扩散方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片及其扩散方法，该方法包括：将硅片放入扩散炉中，升温至780℃～800℃；经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的小氮、氧气和大氮，扩散炉内温度保持在780℃～800℃，时间为15min～20min；经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮，扩散炉内温度升至850℃～870℃，时间为10min～18min；扩散过程结束，在扩散炉降温后取出硅片；在整个扩散过程中，所述扩散炉管内的气体流量恒定。采用本发明的方法生产出的太阳能电池片的PN结结深较浅，方块电阻更为均匀，提高了太阳能电池的转换效率。

主权项

一种用于形成晶体硅太阳能电池片的PN结的扩散方法，其特征在于，包括：A、将硅片放入扩散炉中，升温至780℃～800℃；B、经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的小氮、氧气和大氮，扩散炉内温度保持在780℃～800℃，时间为15min～20min；C、经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮，扩散炉内温度升至850℃～870℃，时间为10min～18min；D、扩散过程结束，在扩散炉降温后取出硅片；在整个扩散过程中，所述扩散炉管内的气体流量恒定，且所述扩散炉管内的气体流量保持在7L/min。