| 发明名称 | P型双面太阳电池的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种P型双面晶硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：①晶硅表面制绒；②在晶硅的背面局部印刷遮挡层；③双面硼扩散；④去除遮挡层和硼硅玻璃层；⑤双面减反射膜制备；⑥丝网印刷及烧结。本方法与传统晶硅太阳电池制作方法比较，不但一次性扩散就可以实现双面受光晶硅太阳电池，增加太阳电池的PN结面积，提高发电效率，而且可以减少边缘隔离工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN103474515A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310466393.0 | 申请日期 | 2013.10.09 |
| 申请人 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 发明人 | 贾河顺;姜言森;方亮;任现坤;徐振华;张春艳;马继磊 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人 | 宋玉霞 |
| 主权项 | 一种P型双面太阳电池的制作方法，依次包括以下步骤：①晶硅表面制绒；②在晶硅的背面局部印刷遮挡层；③双面硼扩散；④去除遮挡层和硼硅玻璃层；⑤双面减反射膜制备；⑥丝网印刷及烧结。 | ||
| 地址 | 250103 山东省济南市历城区经十东路30766号力诺科技园 | ||