| 发明名称 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，位于栅电极上或位于栅电极下；沟道区域，与栅电极交叠，栅极绝缘层插设在沟道区域与栅电极之间；以及源极区域和漏极区域，相对于沟道区域彼此面对，位于与沟道区域相同的层中，并且连接到沟道区域，其中沟道区域、源极区域和漏极区域包括氧化物半导体，其中源极区域和漏极区域的载流子浓度大于沟道区域的载流子浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN103456793A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201310009134.5 | 申请日期 | 2013.01.10 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 李制勋;宋俊昊;吕伦钟;誖载肋 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅电极；栅极绝缘层，位于所述栅电极上或位于所述栅电极下；沟道区域，与所述栅电极交叠，所述栅极绝缘层插设在所述沟道区域与所述栅电极之间；以及源极区域和漏极区域，相对于所述沟道区域彼此面对，位于与所述沟道区域相同的层中，并且连接到所述沟道区域，其中所述沟道区域、所述源极区域和所述漏极区域包括氧化物半导体，以及其中所述源极区域和所述漏极区域的载流子浓度大于所述沟道区域的载流子浓度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||