| 发明名称 | 压电体元件及压电体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。 | ||
| 申请公布号 | CN103219460A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310023655.6 | 申请日期 | 2013.01.22 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 末永和史;柴田宪治;渡边和俊;野本明;堀切文正 |
| 分类号 | H01L41/08(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L41/047(2006.01)I;B41J2/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;於毓桢 |
| 主权项 | 一种压电体元件，其特征在于，在基板上至少设置有下部电极层、由通式(NaxKyLiz)NbO3所表示的压电体膜及上部电极层的压电体元件中，所述压电体膜具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为所述取向的晶轴的成分，上述通式中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||