| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자용 박막 접합 기판 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 다양한 두께의 박막을 얻을 수 있고, 공정을 간소화할 수 있으며, 궁극적으로는 박막의 에피 재성장 공정 없이, 박막의 전이 만으로 반도체 소자를 제조할 수 있는 반도체 소자용 박막 접합 기판 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 희생층으로 구분되는 복수개의 결정질 박막을 일 방향을 따라 샌드위치 구조의 에피 성장층으로 성장시키는 에피 성장단계; 상기 에피 성장층에 이종 기판을 접합시키는 기판 접합단계; 및 상기 이종 기판과 가장 가까운 상기 희생층을 경계로 레이저 또는 화학적 리프트 오프 방식으로 상기 결정질 박막을 상기 에피 성장층으로부터 분리시키는 박막 분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 박막 접합 기판 제조방법을 제공한다.</p> |
