通过减少主动区的凹陷及移除间隔体以增进晶体管效能

摘要

本发明涉及通过减少主动区的凹陷及移除间隔体以增进晶体管效能，基于优异的制程顺序可形成半导体装置的精密晶体管，其中可获得增加紧密隔开栅极结构之间的空间以及减少主动区的材料损失。结果，可省略知用于描述漏极及源极延伸区之横向外形的偏移间隔体以及可完全移除用于深漏极及源极区的间隔体。

主权项

一种形成半导体装置的方法，该方法包含下列步骤：形成保护内衬于主动区上方以及在该主动区上形成栅极结构，该栅极包含电介质覆盖层；在该保护内衬存在的情况下，在该主动区中形成漏极及源极延伸区；形成间隔体结构于该保护内衬上；用该间隔体结构作为蚀刻掩膜来移除该保护内衬的暴露部份；以及在该间隔体结构存在的情况下，通过在该主动区中形成深漏极及源极区来形成漏极及源极区。