静态随机存取存储器

摘要

本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)，在制作SRAM时，重新制造掩模版上的AA图形，使该掩膜版的AA图形中，接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的拐角区域为非直角，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的拐角区域为非直角，非直角的拐角区域可以为曲面或楼梯形。因此，本发明防止了最终形成的SRAM性能失配。

主权项

一种静态随机存储器，包括场效应晶体管PG_1的栅极空置，漏极接入一个位线BL，源极分别接入场效应晶体管PU_1的漏极和场效应晶体管PU_r的栅极；PG_r的栅极空置，漏极接入另一个位线BLB，源极分别接入场效应晶体管PU_r的漏极和场效应晶体管PU_1的栅极；场效应晶体管PU_1的源极接Vcc，漏极和栅极分别与场效应晶体管PD_1的漏极和栅极相连；场效应晶体管PD_r的源极接入Vss，场效应晶体管PD_r的漏极与场效应晶体管PD_1的栅极相连，和场效应晶体管PD_r的栅极与场效应晶体管PD_1的漏极相连；场效应晶体管PU_r的源极接入电压Vcc，漏极和栅极分别与场效应晶体管PD_r的漏极和栅极相连；在布图时，场效应晶体管PG_1、场效应晶体管PG_r、场效应晶体管PU_1、场效应晶体管PU_r、场效应晶体管PD_1和场效应晶体管PD_r的源漏极作为有源区域，与场效应晶体管PG_1、场效应晶体管PG_r、场效应晶体管PU_1、场效应晶体管PU_r、场效应晶体管PD_1和场效应晶体管PD_r的栅极区域在图上有部分重叠，其特征在于，接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的有源区域图形的拐角区域为非直角结构，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的有源区域图形的拐角区域为非直角结构；所述非直角结构为楼梯结构，所述楼梯结构为接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的有源区域图形的拐角区域去掉一个角，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的有源区域图形的拐角区域去掉一个角；或者所述非直角结构为圆弧形结构，所述圆弧形状为1/4圆。