发明名称 单神经元及多神经元集群间神经信号传递特性探测装置
摘要 一种单神经元及多神经元集群间神经信号传递特性探测装置,包括按照阵列分布的可单独控制的电极单元,包括激励电极和探测电极,对应连接有激励开关和探测开关。开关包括两只MOS管,两个MOS管源和漏连接,再连接到电极。各行、列激励电极单元中的两只MOS管的栅分别相连并形成各行、列的激励开关行、列控制端,连接至激励串行输入-并行输出移位寄存器的各并行输出端;各行、列的探测电极单元中的两只MOS管的栅分别相连并形成各行、列的探测开关行、列控制端连接至探测串行输入-并行输出移位寄存器的各并列输出端。各激励信号输入端都与神经信号激励器相连,各探测信号输出端与神经信号探测器相连,再连接到多路选择电路后输出。
申请公布号 CN202096205U 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN201120173770.8 申请日期 2011.05.27
申请人 东南大学 发明人 王志功;吕晓迎;袁丰
分类号 A61B5/04(2006.01)I 主分类号 A61B5/04(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 汤志武
主权项 一种单神经元及多神经元集群间神经信号传递特性探测装置,其特征在于,包括按照阵列分布的可单独控制的电极单元,该电极单元包括:激励电极(5)和探测电极(6),在激励电极(5)和探测电极(6)上分别连接有激励开关和探测开关,所述的激励开关包括第一MOS管(1)和第二MOS管(2),第一MOS管(1)的源和第二MOS管(2)的漏连接,第二MOS管(2)的源与激励电极(5)连接;所述的探测开关包括第三MOS管(3)和第四MOS管(4),第三MOS管(3)的源和第四MOS管(4)的漏连接,第四MOS管(4)的源与探测电极(6)连接,各行的电极单元中的第一MOS管(1)的栅相连并形成各行的激励开关行控制端,在激励开关行控制端上连接有行激励串行输入‑并行输出移位寄存器(8)且各激励开关行控制端分别与行激励串行输入‑并行输出移位寄存器(8)的各并行输出端连接;各列的电极单元中的第二MOS管(2)的栅相连并形成各列的激励开关列控制端,在激励开关列控制端上连接有列激励串行输入‑并行输出移位寄存器(10)且各激励开关列控制端分别与列激励串行输入‑并行输出移位寄存器(10)的各并行输出端连接;各行的电极单元中的第四MOS管(4)的栅相连并形成各行的探测开关行控制端,在探测开关行控制端上连接有行探测串行输入‑并行输出移位寄存器(7)且各探测开关行控制端分别与行探测串行输入‑并行输出移位寄存器(7)的各并行输出端连接;各列的电极单元中的第三MOS管(3)的栅相连并形成各列的探测开关列控制端,在探测开关列控制端上连接有列探测串行输入‑并行输出移位寄存器(9)且各探测开关列控制端分别与列探测串行输入‑并行输出移位寄存器(9)的各并行输出端连接;各激励信号输入端都与神经信号激励器相连;各探测信号输出端与神经信号探测器相连,再连接到多路选择电路。
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