发明名称 电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电介质陶瓷生产用粉末的生产方法
摘要 一种电介质陶瓷,其包括主组分和副组分。所述主组分包括BaTi4O9结晶相和Ba2Ti9O20结晶相,由(BaO·xTiO2)表示,具有4.6至8.0的TiO2相对于BaO的摩尔比x,并且在X-射线衍射中,具有1以上的BaTi4O9结晶相最大衍射峰强度(I14)与Ba2Ti9O20结晶相最大衍射峰强度(I29)的X-射线衍射峰强度比I29/I14。所述副组分包括硼氧化物和铜氧化物,其中所述硼氧化物含量在0.5至5.0质量份的范围内,相对于100质量份所述主组分,所述铜氧化物含量在0.1至3.0质量份的范围内,相对于100质量份所述主组分。
申请公布号 CN102219503A 申请公布日期 2011.10.19
申请号 CN201110084126.8 申请日期 2011.03.31
申请人 TDK株式会社 发明人 中野贵弘;宫内泰治;中村知子
分类号 C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I 主分类号 C04B35/468(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种电介质陶瓷,其包含:主组分,所述主组分含有BaTi4O9结晶相和Ba2Ti9O20结晶相并由组成式(BaO·xTiO2)表示,所述主组分具有TiO2相对于BaO的摩尔比x,所述摩尔比x在4.6至8.0的范围内,在X‑射线衍射中,所述主组分具有BaTi4O9结晶相的最大衍射峰强度(I14)与Ba2Ti9O20结晶相的最大衍射峰强度(I29)的X‑射线衍射峰强度比I29/I14,所述X‑射线衍射峰强度比I29/I14为1以上;和副组分,所述副组分含有硼氧化物和铜氧化物,其中所述硼氧化物的含量以B2O3计在0.5质量份至5.0质量份的范围内,相对于100质量份所述主组分,所述铜氧化物的含量以CuO计在0.1质量份至3.0质量份的范围内,基于100质量份所述主组分。
地址 日本东京都